DS1270AB-70IND备选型号: BQ4017YMC-70
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- 零件状态
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 频率
- 基本部件号
- 内存大小
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- 组织结构
- 内存宽度
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- 密度
- 访问时间(最大)
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 无铅代码
- 端子间距
- 电源
- 待机电流-最大值
- 字长
- 长度
- 座位高度(最大)
- IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIPNO36-DIP Module (0.600, 15.24mm)通孔36Non-Volatile2010Tube-40°C~85°C TAe0Obsolete1 (Unlimited)363A991.B.2.A锡铅5 YEAR DATA RETENTION8473.30.11.404.75V~5.25VDUAL170GHzDS1270AB16Mb 2M x 8NVSRAMParallel8b2MX8870ns16 Mb70 nsNon-RoHS Compliant无含铅---------
- IC NVSRAM 16M PARALLEL 36DIP-36-DIP Module (0.610, 15.49mm)通孔36Non-Volatile-Tube0°C~70°C TA-Obsolete1 (Unlimited)363A991.B.2.A-5 YEARS OF DATA RETENTION8542.32.00.415VDUAL1-BQ401716Mb 2M x 8NVSRAMParallel8b2MX8870ns16 Mb70 nsROHS3 Compliant无含铅通孔115mAno2.54mm5V0.017A8b52.96mm9.53mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS41C16100C-50KLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 42-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 5V 42-Pin SOJ | 对比 | |
| IS41C16100C-50TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width), 44 Leads | DRAM Chip EDO 16Mbit 1Mx16 5V 44-Pin TSOP-II | 对比 | |
![]() | BQ4017YMC-70 | Texas Instruments | 存储器 | 36-DIP Module (0.610, 15.49mm) | IC NVSRAM 16M PARALLEL 36DIP | 对比 |




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