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首页 全部分类 DTA123JKAT246 vs DTC115TUAT106

DTA123JKAT246备选型号: DTC115TUAT106

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 极性
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 连续集电极电流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    DTA123JKAT246
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT346
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-346
    SILICON
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
    8541.21.00.75
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    DTA123
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    PNP
    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    200mW
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    250MHz
    2.2 k Ω
    47 k Ω
    0.3 V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    DTC115TUAT106
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    表面贴装
    -
    SOT-346
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    8541.21.00.75
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    -
    3
    -
    -
    NPN
    -
    -
    SWITCHING
    -
    50V
    100mA
    -
    -
    -
    250MHz
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    7 Weeks
    3
    150°C
    -55°C
    50V
    100mA
    Single
    200mW
    50V
    5V
    100
    100mA
    无
    无铅
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