ROHM Semiconductor DTA123JKAT246

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-346

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2001

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

DTA123

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

电阻基(R1)

2.2 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47 k Ω

VCEsat-最大值

0.3 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant