DTC115EET1G备选型号: RN1106,LF(CT
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 无卤素
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 频率转换
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)2 WeeksTin表面贴装SC-75, SOT-416YES350V250mVTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 150V200mWDUAL鸥翼260100mA40DTC1153NPNSingle200mWSWITCHING无卤素NPN - Pre-Biased50V100mA80 @ 5mA 10V500nA250mV @ 300μA, 10mA50V6V100 k Ω100mA100 k Ω800μm1.65mm900μm无ROHS3 Compliant无铅--
- Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor-12 Weeks-表面贴装SC-75, SOT-416--50V-Tape & Reel (TR)2014--活跃1 (Unlimited)------100mW-------NPN----NPN - Pre-Biased300mV100mA80 @ 10mA 5V500nA300mV @ 250μA, 5mA50V5V4.7 k Ω100mA47 k Ω----符合RoHS标准-表面贴装250MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DTC124EET1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-75, SOT-416 | DTC124EET1G NPN Digital Transistor; 100mA 50 V 22 kOhm; Ratio Of 1; 3-Pin SC-75 | 对比 | |
| RN1106,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-75, SOT-416 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | 对比 | |
| DTC124XET1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 | 对比 |


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