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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.141797
10
¥1.07717
100
¥1.016198
500
¥0.958679
1000
¥0.904413
ON Semiconductor DTC124EET1G
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- 对比
DTC124EET1G
1807-DTC124EET1G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-75, SOT-416
大陆
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DTC124EET1G NPN Digital Transistor; 100mA 50 V 22 kOhm; Ratio Of 1; 3-Pin SC-75
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DTC124EET1G详情
ON Semiconductor DTC124EET1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Number of Elements
1
hFEMin
60
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DTC124
引脚数量
3
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
最大击穿电压
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
电阻基(R1)
22 k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
22 k Ω
高度
800μm
长度
1.65mm
宽度
900μm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DTC124EET1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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