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首页 全部分类 ECH8602M-TL-H vs ECH8659-TL-W

ECH8602M-TL-H备选型号: ECH8659-TL-W

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  • 安装类型
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  • ECCN 代码
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    ECH8602M-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    8
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.5W
    8
    Dual
    2 N-Channel (Dual)
    30m Ω @ 3A, 4.5V
    无卤素
    7.5nC @ 4.5V
    30V
    6A
    6A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8659-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    -
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.3W
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    24m Ω @ 3.5A, 10V
    -
    11.8nC @ 10V
    30V
    7A
    7A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    23 Weeks
    SILICON
    2
    8
    防静电
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-XDSO-F8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.3W
    SWITCHING
    2.6V @ 1mA
    710pF @ 10V
    0.024Ohm
    40A
    30V
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