ON Semiconductor ECH8602M-TL-H
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ECH8602M-TL-H
1807-ECH8602M-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Flat Lead
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MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8
--最小包装量--
ECH8602M-TL-H详情
ON Semiconductor ECH8602M-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
表面安装
YES
引脚数
8
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1.5W
引脚数量
8
元素配置
Dual
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 3A, 4.5V
无卤素
无卤素
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
6A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
ECH8602M-TL-H拓展信息









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