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首页 全部分类 ECH8659-TL-W vs MCH6436-TL-W

ECH8659-TL-W备选型号: MCH6436-TL-W

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  • 配置
  • 操作模式
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 引脚数
  • 端子位置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • ON Semiconductor
    ECH8659-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    防静电
    1.3W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-XDSO-F8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.3W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    24m Ω @ 3.5A, 10V
    2.6V @ 1mA
    710pF @ 10V
    11.8nC @ 10V
    30V
    7A
    7A
    0.024Ohm
    40A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6436-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    -
    SILICON
    6A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    防静电
    -
    -
    not_compliant
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    34m Ω @ 3A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    710pF @ 10V
    7.5nC @ 4.5V
    30V
    6A
    6A
    0.034Ohm
    24A
    30V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    6
    DUAL
    11 ns
    33ns
    ±12V
    52 ns
    20V
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