EFC4619R-TR备选型号: CPH6636R-TL-W
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 漏源击穿电压
- MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIESACTIVE (Last Updated: 6 days ago)23 Weeks表面贴装表面贴装4-XFBGA, FCBGA424.4 μs150°C TJTape & Reel (TR)2007yes活跃1 (Unlimited)EAR991.6W340 ns2 N-Channel (Dual)无卤素21.7nC @ 4.5V440ns24V22.4 μs6A12V6AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V Drive23mOhm无ROHS3 Compliant无铅-----
- Trans MOSFET N-CH 24V 6A 6-Pin CPH T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)7 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6-22 μs150°C TJTape & Reel (TR)-yesObsolete1 (Unlimited)EAR99900mW65 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain-3nC @ 4.5V300ns24V98 μs6A12V--Logic Level Gate, 2.5V Drive--ROHS3 Compliant无铅e6Tin/Bismuth (Sn/Bi)not_compliant20m Ω @ 3A, 4.5V24V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG5802LFX-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-VFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN | 对比 |
![]() | IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 | 对比 |
| CPH6636R-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 24V 6A 6-Pin CPH T/R | 对比 |





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