我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
EFC4619R-TR备选型号: IRLML6244TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIESACTIVE (Last Updated: 6 days ago)23 Weeks表面贴装表面贴装4-XFBGA, FCBGA424.4 μs150°C TJTape & Reel (TR)2007yes活跃1 (Unlimited)EAR991.6W340 ns2 N-Channel (Dual)无卤素21.7nC @ 4.5V440ns24V22.4 μs6A12V6AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V Drive23mOhm无ROHS3 Compliant无铅--------------------------
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-336.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012-活跃1 (Unlimited)EAR99-4.9 nsN-Channel-8.9nC @ 4.5V7.5ns-12 ns6.3A12V----无ROHS3 Compliant无铅SILICONHEXFET®e3327MOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼1Single增强型MOSFET1.3WSWITCHING21m Ω @ 6.3A, 4.5V1.1V @ 10μA700pF @ 16V±12V900mV20V18 ns150°C12 V1.12mm3.04mm1.4mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | EFC4615R-TR | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 4-XBGA, 4-FCBGA | MOSFET N-CH 24V 6A EFCP | 对比 |
 | CPH6636R-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 24V 6A 6-Pin CPH T/R | 对比 |
 | DMG5802LFX-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-VFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN | 对比 |
哦! 它是空的。