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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.37522
10
¥5.070961
100
¥4.783925
500
¥4.51314
1000
¥4.25768
ON Semiconductor EFC4619R-TR
- 收藏
- 对比
EFC4619R-TR
1807-EFC4619R-TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
4-XFBGA, FCBGA
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MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
--最小包装量--
¥
总价: ¥
EFC4619R-TR详情
ON Semiconductor EFC4619R-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-XFBGA, FCBGA
引脚数
4
Turn Off Delay Time
24.4 μs
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.6W
接通延迟时间
340 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
无卤素
无卤素
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21.7nC @ 4.5V
上升时间
440ns
漏源电压 (Vdss)
24V
下降时间(典型值)
22.4 μs
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源电阻
23mOhm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
EFC4619R-TR拓展信息










哦! 它是空的。