EFC4619R-TR
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ON Semiconductor EFC4619R-TR

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型号

EFC4619R-TR

utmel 编号

1807-EFC4619R-TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

4-XFBGA, FCBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES

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EFC4619R-TR
EFC4619R-TR ON Semiconductor MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES

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EFC4619R-TR详情

ON Semiconductor EFC4619R-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

  • 工厂交货时间

    23 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-XFBGA, FCBGA

  • 引脚数

    4

  • Turn Off Delay Time

    24.4 μs

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    1.6W

  • 接通延迟时间

    340 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 无卤素

    无卤素

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    21.7nC @ 4.5V

  • 上升时间

    440ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    24V

  • 下降时间(典型值)

    22.4 μs

  • 连续放电电流(ID)

    6A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    6A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate, 2.5V Drive

  • 漏源电阻

    23mOhm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & EFC4619R-TR相似的参数规格。

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EFC4619R-TR拓展信息

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FDS4935BZ
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FDC6303N
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FDC6301N
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FDS8958A
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FDC6333C
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FDG8850NZ
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