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首页 全部分类 EFC6605R-TR vs DMP2008UFG-13

EFC6605R-TR备选型号: DMP2008UFG-13

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 无铅
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    EFC6605R-TR
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH NCH 10A 24V 2.5V DRIV
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, No Lead
    6
    65.99769mg
    44.4 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.6W
    2
    154 ns
    2 N-Channel (Dual)
    19.8nC @ 4.5V
    678ns
    20V
    60.8 μs
    10A
    10V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    13.3mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2008UFG-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI
    -
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    14A Ta 54A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    22 ns
    P-Channel
    72nC @ 4.5V
    33ns
    20V
    124 ns
    12A
    8V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    2014
    e3
    5
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    260
    40
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    8m Ω @ 12A, 4.5V
    1V @ 250μA
    6909pF @ 10V
    ±8V
    14A
    20V
    113 mJ
    无SVHC
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