EFC6612R-TF备选型号: MCH3476-TL-W
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 输入电容
- 最大rds
- MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP表面贴装表面贴装6-SMD, No Lead611.8 ns150°C TJTape & Reel (TR)1998yes不用于新设计1 (Unlimited)EAR992.5W30 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain27nC @ 4.5V640ns92 ns23A12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V DriveROHS3 Compliant无铅-----------
- MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3表面贴装表面贴装3-SMD, Flat Lead32A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012-Obsolete1 (Unlimited)--5.1 nsN-Channel1.8nC @ 4.5V11ns12 ns2A12V--符合RoHS标准无铅4 WeeksSC-70FL/MCPH3150°C-55°C125mOhm @ 1A, 4.5V1.3V @ 1mA128pF @ 10V20V±12V128pF125 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTHS5443T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET | 对比 |
| NTMFS4839NHT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm | 对比 |




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