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首页 全部分类 EFC6612R-TF vs NTHS5443T1G

EFC6612R-TF备选型号: NTHS5443T1G

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 终止次数
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    EFC6612R-TF
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, No Lead
    6
    11.8 ns
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2.5W
    30 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    27nC @ 4.5V
    640ns
    92 ns
    23A
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHS5443T1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    8.5 ns
    P-Channel
    12nC @ 4.5V
    14ns
    14 ns
    4.9A
    12V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    2 Weeks
    SILICON
    e3
    8
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    -20V
    DUAL
    C 弯管
    260
    -3.6A
    40
    8
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.6A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    20V
    ±12V
    0.065Ohm
    -20V
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无
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