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首页 全部分类 EFC6612R-TF vs NTMFS4839NHT1G

EFC6612R-TF备选型号: NTMFS4839NHT1G

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  • 场效应管特性
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  • 终端形式
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  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    EFC6612R-TF
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, No Lead
    6
    11.8 ns
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2.5W
    30 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    27nC @ 4.5V
    640ns
    92 ns
    23A
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4839NHT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    8
    9.5A Ta 64A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    N-Channel
    43.5nC @ 11.5V
    19.6ns
    3.4 ns
    64A
    20V
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    SILICON
    e3
    6
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    8
    R-PDSO-F6
    Single
    增强型MOSFET
    5.7W
    DRAIN
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2354pF @ 12V
    ±20V
    15A
    0.0103Ohm
    30V
    192A
    109 mJ
    无
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