EFC8811R-TF备选型号: MCH3481-TL-W
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 场效应管类型
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- MOSFET 2N-CH 6CSPACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, No Lead150°C TJTape & Reel (TR)2016yes活跃1 (Unlimited)2.5W2 N-Channel (Dual) Common DrainLogic Level Gate, 2.5V Drive2.3mOhmROHS3 Compliant无铅---------------------------
- MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)6 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, Flat Lead150°C TJCut Tape (CT)2017yes活跃1 (Unlimited)-N-Channel--ROHS3 Compliant无铅70SILICON2A Tae63Tin/Bismuth (Sn/Bi)DUALR-PDSO-F3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET6.6 nsSWITCHING104m Ω @ 1A, 4.5V900mV @ 1mA175pF @ 10V2.9nC @ 4.5V27ns20V±9V19 ns2A900mV9V2A0.104Ohm20V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH3481-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 | 对比 |


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