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EKI10126备选型号: IPP70N10S312AKSA1
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- 安装类型
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- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- Reach合规守则
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 100V 66A TO-22012 Weeks通孔通孔TO-220-366A Tc150°C TJTube2014活跃1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel11.6m Ω @ 33A, 10V2.5V @ 1.5mA6420pF @ 25V88.8nC @ 10V100V±20V66A符合RoHS标准无铅--------------------
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3-通孔通孔TO-220-370A Tc-55°C~175°C TJTube2008Obsolete1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel11.6m Ω @ 70A, 10V4V @ 83μA4355pF @ 25V66nC @ 10V-±20V70AROHS3 Compliant含铅3SILICONOptiMOS™e33EAR99Matte Tin (Sn)SINGLEnot_compliantSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET17 ns无卤素8nsTO-220AB20V100V0.0116Ohm280A410 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP70N10S312AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 | 对比 |
 | PSMN8R5-100XSQ | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | MOSFET PSMN8R5-100XS/TO-220F/RAILH | 对比 |
 | NDPL070N10BG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | ON SEMICONDUCTOR NDPL070N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 4 V | 对比 |
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