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首页 全部分类 EL817M(D)-V vs FOD817BW

EL817M(D)-V备选型号: FOD817BW

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  • 底架
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最大功率耗散
  • 输出电压
  • 功率耗散
  • 正向电流
  • 每个通道的输出电流
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向击穿电压
  • 无铅
  • Everlight Electronics Co Ltd
    EL817M(D)-V
    Everlight Electronics Co Ltd
    OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
    20 Weeks
    通孔
    4-DIP (0.400, 10.16mm)
    NO
    300% @ 5mA
    -55°C~110°C
    Tube
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    UL APPROVED, VDE APPROVED
    5000Vrms
    Transistor
    SINGLE
    1
    1.2V
    DC
    4μs 3μs
    0.06A
    60mA
    600% @ 5mA
    200mV
    35V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FOD817BW
    ON Semiconductor
    OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP
    -
    通孔
    4-DIP (0.400, 10.16mm)
    -
    130% @ 5mA
    -55°C~110°C
    Tube
    2017
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    5000Vrms
    Transistor
    -
    -
    1.2V
    DC
    4μs 3μs
    -
    -
    260% @ 5mA
    -
    -
    符合RoHS标准
    通孔
    4
    200mV
    200mW
    70V
    200mW
    50mA
    50mA
    18μs
    18 μs
    70V
    50mA
    6V
    无铅
  • 添加型号
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