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首页 全部分类 EL817M(D)-V vs TLP781F(D4-GB,F)

EL817M(D)-V备选型号: TLP781F(D4-GB,F)

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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最大功率耗散
  • 输出电压
  • 功率耗散
  • 正向电流
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向击穿电压
  • 最大输入电流
  • 输入电流
  • 接通 / 关断时间（典型值）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Everlight Electronics Co Ltd
    EL817M(D)-V
    Everlight Electronics Co Ltd
    OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
    20 Weeks
    通孔
    4-DIP (0.400, 10.16mm)
    NO
    300% @ 5mA
    -55°C~110°C
    Tube
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    UL APPROVED, VDE APPROVED
    5000Vrms
    Transistor
    SINGLE
    1
    1.2V
    DC
    4μs 3μs
    0.06A
    60mA
    600% @ 5mA
    200mV
    35V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TLP781F(D4-GB,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP
    -
    通孔
    4-DIP (0.400, 10.16mm)
    -
    100% @ 5mA
    -55°C~110°C
    -
    2008
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    -
    5000Vrms
    Transistor
    -
    1
    1.15V
    DC
    2μs 3μs
    -
    60mA
    600% @ 5mA
    -
    -
    符合RoHS标准
    通孔
    4
    400mV
    250mW
    80V
    250mW
    25mA
    2μs
    3 μs
    80V
    50mA
    5V
    60mA
    16mA
    3μs, 3μs
    无SVHC
    无
    无铅
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