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首页 全部分类 EM6K6T2R vs DMN2990UFZ-7B

EM6K6T2R备选型号: DMN2990UFZ-7B

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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子位置
  • 参考标准
  • 通道数量
  • 箱体转运
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  • Vgs（最大值）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ROHM Semiconductor
    EM6K6T2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    150mW
    FLAT
    260
    10
    *K6
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    150mW
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1 Ω @ 300mA, 4V
    1V @ 1mA
    25pF @ 10V
    10ns
    20V
    10 ns
    300mA
    8V
    0.3A
    1.4Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2990UFZ-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    250mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    无铅
    -
    -
    DMN2990
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    3.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    990m Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    55.2pF @ 16V
    2.1ns
    -
    7.7 ns
    250mA
    8V
    -
    0.99Ohm
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    HIGH RELIABILITY
    389pF
    BOTTOM
    AEC-Q101
    2
    DRAIN
    0.5nC @ 4.5V
    ±8V
    5.6 pF
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