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首页 全部分类 EM6K6T2R vs FDY100PZ

EM6K6T2R备选型号: FDY100PZ

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    EM6K6T2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    150mW
    FLAT
    260
    10
    *K6
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    150mW
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1 Ω @ 300mA, 4V
    1V @ 1mA
    25pF @ 10V
    10ns
    20V
    10 ns
    300mA
    8V
    0.3A
    1.4Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDY100PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-89, SOT-490
    3
    SILICON
    350mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    625mW
    6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 350mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    100pF @ 10V
    13ns
    20V
    13 ns
    350mA
    8V
    -
    -
    -20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    30mg
    PowerTrench®
    SMD/SMT
    1.2Ohm
    ESD PROTECTION
    DUAL
    1.4nC @ 4.5V
    ±8V
    -1V
    -20V
    -1 V
    780μm
    1.7mm
    980μm
    无SVHC
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