您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 EM6M1T2R vs DMN26D0UFB4-7

EM6M1T2R备选型号: DMN26D0UFB4-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    EM6M1T2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    100mA 200mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    150mW
    FLAT
    260
    10
    6M1
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    150mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    8 Ω @ 10mA, 4V
    13pF @ 5V
    0.9nC @ 4.5V
    30V 20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    200mA
    0.1A
    8Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN26D0UFB4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    230mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    2017
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    260
    40
    -
    3
    Single
    增强型MOSFET
    350mW
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 100mA, 4.5V
    14.1pF @ 15V
    -
    20V
    -
    240mA
    0.24A
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    10Ohm
    ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    BOTTOM
    1
    DRAIN
    3.8 ns
    1.1V @ 250μA
    7.9ns
    ±10V
    15.2 ns
    10V
    20V
    350μm
    1.05mm
    650μm
    无SVHC
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN26D0UT-7 DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-523 MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 对比
DMN26D0UDJ-7 DMN26D0UDJ-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 SOT-963 MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 对比
DMN26D0UFB4-7 DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 3-XFDFN MOSFET N-CH 20V 230MA DFN 对比