ROHM Semiconductor EM6M1T2R

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA 200mA

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

6M1

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ω @ 10mA, 4V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.9nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V 20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

200mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

漏极-源极导通最大电阻

8Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant