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首页 全部分类 EM6M1T2R vs NTK3142PT1G

EM6M1T2R备选型号: NTK3142PT1G

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  • 终止次数
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    EM6M1T2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    100mA 200mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    150mW
    FLAT
    260
    10
    6M1
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    150mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    8 Ω @ 10mA, 4V
    13pF @ 5V
    0.9nC @ 4.5V
    30V 20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    200mA
    0.1A
    8Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTK3142PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 0.215A SOT-723
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    3
    SILICON
    215mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    FLAT
    260
    40
    -
    3
    Single
    增强型MOSFET
    400mW
    P-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 260mA, 4.5V
    15.3pF @ 10V
    -
    -
    -
    -260A
    -
    4Ohm
    20V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    -20V
    DUAL
    unknown
    -260mA
    不合格
    1.3V @ 250μA
    15.3ns
    ±8V
    15.3 ns
    8V
    无铅
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