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EMC3DXV5T1G备选型号: EMC4DXV5T1G

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  • 工作电源电压
  • 极性
  • 配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ON Semiconductor
    EMC3DXV5T1G
    ON Semiconductor
    TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-553
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SOT-553
    YES
    5
    250mV
    2
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    500mW
    FLAT
    260
    100mA
    40
    EMC3DXV5
    5
    100mA
    50V
    NPN, PNP
    COMPLEX
    357mW
    SWITCHING
    无卤素
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    6V
    35
    100mA
    600μm
    1.7mm
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    EMC4DXV5T1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    SOT-553
    YES
    5
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    500mW
    FLAT
    260
    100mA
    -
    MC4
    5
    -
    -
    NPN, PNP
    COMPLEX
    357mW
    SWITCHING
    无卤素
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    -
    -
    100mA
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    47k Ω, 10k Ω
    47k Ω
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