EMC3DXV5T1G备选型号: EMG2DXV5T5G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 极性
- 配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 无卤素
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最小直流增益(hFE)
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 资历状况
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-553ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks表面贴装SOT-553YES5250mV2Tape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 150V500mWFLAT260100mA40EMC3DXV55100mA50VNPN, PNPCOMPLEX357mWSWITCHING无卤素1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)50V100mA6V35100mA600μm1.7mm1.3mm无ROHS3 Compliant无铅------
- ON SEMICONDUCTOR - EMG2DXV5T5G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SOT-553, FULL REELACTIVE (Last Updated: 6 days ago)17 Weeks表面贴装SOT-553YES5250mV50VTape & Reel (TR)2010e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 150V230mWFLAT260100mA40EMG5--NPNCOMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR230mWSWITCHING无卤素2 NPN - Pre-Biased (Dual)50V100mA6V-100mA600μm1.7mm1.3mm-ROHS3 Compliant无铅不合格80 @ 5mA 10V500nA250mV @ 300μA, 10mA47k Ω47k Ω
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EMG2DXV5T5G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SOT-553 | ON SEMICONDUCTOR - EMG2DXV5T5G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SOT-553, FULL REEL | 对比 |
![]() | EMC4DXV5T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SOT-553 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553 | 对比 |
![]() | EMC5DXV5T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SOT-553 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553 | 对比 |



哦! 它是空的。