EMF5T2R备选型号: 2SA2018TL

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 频率
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    12V
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
    8541.21.00.75
    150mW
    FLAT
    260
    100mA
    10
    *MF5
    6
    12V
    PNP, NPN
    Dual
    150mW
    SWITCHING
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    300mV
    500mA
    68 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V
    500nA
    300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
    50V 12V
    250MHz
    12V
    250MHz 260MHz
    -6V
    47k Ω
    -500mA
    47k Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 12V 0.5A SOT-416
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    3
    12V
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    -
    -
    -
    -
    150mW
    鸥翼
    260
    -500mA
    10
    2SA2018
    3
    -
    -
    Single
    150mW
    SWITCHING
    PNP
    12V
    500mA
    270 @ 10mA 2V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 200mA
    -
    260MHz
    12V
    -
    -6V
    -
    -500mA
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Copper, Silver, Tin
    SILICON
    -100mV
    150°C TJ
    -12V
    DUAL
    260MHz
    260MHz
    PNP
    -15V
    700μm
    1.7mm
    900μm
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