ROHM Semiconductor EMF5T2R

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA 500mA

Number of Elements

2

hFEMin

270

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*MF5

引脚数量

6

输出电压

12V

极性

PNP, NPN

元素配置

Dual

功率耗散

150mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

68 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V 12V

转换频率

250MHz

最大击穿电压

12V

频率转换

250MHz 260MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

电阻基(R1)

47k Ω

连续集电极电流

-500mA

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅