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EPC2010C备选型号: FQB19N20LTM
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
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- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE12 Weeks表面贴装表面贴装DieDie Outline (7-Solder Bar)22A Ta-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)eGaN®2012活跃1 (Unlimited)150°C-40°CN-Channel25mOhm @ 12A, 5V2.5V @ 3mA540pF @ 100V5.3nC @ 5V200V+6V, -4V22A540pF25 mΩROHS3 Compliant----------------------------------
Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R7 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000活跃1 (Unlimited)--N-Channel140m Ω @ 10.5A, 10V2V @ 250μA2200pF @ 25V35nC @ 5V-±20V21mA--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)Tin3SILICONe3yes2EAR99140MOhm200V鸥翼21AR-PSSO-G2200VSingle17A增强型MOSFET3.13WDRAIN35 nsSWITCHING300ns180 ns2V20V200V250 mJ2 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB19N20LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 200V 24A DPAK | 对比 |
 | IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 对比 |
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