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EPC2010C备选型号: IRFR4620TRLPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE12 Weeks表面贴装表面贴装DieDie Outline (7-Solder Bar)22A Ta-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)eGaN®2012活跃1 (Unlimited)150°C-40°CN-Channel25mOhm @ 12A, 5V2.5V @ 3mA540pF @ 100V5.3nC @ 5V200V+6V, -4V22A540pF25 mΩROHS3 Compliant-----------------------------
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-24A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009活跃1 (Unlimited)--N-Channel78m Ω @ 15A, 10V5V @ 100μA1710pF @ 50V38nC @ 10V-±20V24A--ROHS3 Compliant3SILICONe32EAR9978MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G21Single增强型MOSFET144WDRAIN13.4 nsSWITCHING22.4ns14.8 nsTO-252AA20V200V175°C2.52mm10.3886mm6.73mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB19N20LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| IRFR4620TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 200V 24A DPAK | 对比 |
 | IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 对比 |
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