EPC2015C备选型号: FDMS9409-F085
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE12 Weeks表面贴装表面贴装DieDie53A Ta-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)eGaN®2012活跃1 (Unlimited)150°C-40°CN-Channel4mOhm @ 33A, 5V2.5V @ 9mA1180pF @ 20V8.7nC @ 5V40V+6V, -4V53A980pF4 mΩROHS3 Compliant----------
- MOSFET N-CH 40V 65A-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN-65A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®-Obsolete1 (Unlimited)--N-Channel3.2m Ω @ 65A, 10V4V @ 250μA3130pF @ 20V62nC @ 10V40V±20V65A--ROHS3 CompliantLIFETIME (Last Updated: 4 days ago)8172.8mge3yesTin (Sn)260not_compliant未说明Single
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STL120N4F6AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT | 对比 |
![]() | TK65S04N1L,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK | 对比 |
| FDMS9409-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 40V 65A | 对比 |





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