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EPC2015C备选型号: TK65S04N1L,LQ

EPC2015C

EPC

GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE

12 Weeks
表面贴装
表面贴装
Die
Die
53A Ta
-40°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
eGaN®
2012
活跃
1 (Unlimited)
150°C
-40°C
N-Channel
4mOhm @ 33A, 5V
2.5V @ 9mA
1180pF @ 20V
8.7nC @ 5V
40V
+6V, -4V
53A
980pF
4 mΩ
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TK65S04N1L,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

12 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DPAK+
65A Ta
175°C TJ
Cut Tape (CT)
U-MOSVIII-H
2015
活跃
1 (Unlimited)
175°C
-55°C
N-Channel
4.3mOhm @ 32.5A, 10V
2.5V @ 300μA
2550pF @ 10V
39nC @ 10V
40V
±20V
65A
2.55nF
4.3 mΩ
符合RoHS标准
3.949996g
1
Single
20 ns
8ns
17 ns
20V
40V
3.3mOhm
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