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首页 全部分类 EPC2020 vs BSC039N06NSATMA1

EPC2020备选型号: BSC039N06NSATMA1

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  • 引脚数量
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  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 阈值电压
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 无铅
  • EPC
    EPC2020
    EPC
    GANFET TRANS 60V 90A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    90A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    2.2mOhm @ 31A, 5V
    2.5V @ 16mA
    1780pF @ 30V
    16nC @ 5V
    60V
    +6V, -4V
    90A
    1.78nF
    2.2 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC039N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    19A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    3.9m Ω @ 50A, 10V
    2.8V @ 36μA
    2000pF @ 30V
    27nC @ 10V
    -
    ±20V
    100A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    SILICON
    e3
    no
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    8
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    无卤素
    12ns
    7 ns
    2.1V
    20V
    60V
    0.0039Ohm
    60V
    400A
    50 mJ
    150°C
    44 pF
    1.1mm
    含铅
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