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首页 全部分类 EPC2020 vs IRFH5006TRPBF

EPC2020备选型号: IRFH5006TRPBF

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  • 端子位置
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2020
    EPC
    GANFET TRANS 60V 90A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    90A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    2.2mOhm @ 31A, 5V
    2.5V @ 16mA
    1780pF @ 30V
    16nC @ 5V
    60V
    +6V, -4V
    90A
    1.78nF
    2.2 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5006TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    21A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    4.1m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 150μA
    4175pF @ 30V
    100nC @ 10V
    -
    ±20V
    100A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    SILICON
    e3
    5
    EAR99
    4.1MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    40
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    9.6 ns
    SWITCHING
    13ns
    12 ns
    2V
    20V
    60V
    400A
    2 V
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    无铅
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