EPC2020备选型号: FDB86563-F085
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- GANFET TRANS 60V 90A BUMPED DIE12 Weeks表面贴装表面贴装DieDie90A Ta-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)eGaN®2012活跃1 (Unlimited)150°C-40°CN-Channel2.2mOhm @ 31A, 5V2.5V @ 16mA1780pF @ 30V16nC @ 5V60V+6V, -4V90A1.78nF2.2 mΩROHS3 Compliant--------
- MOSFET N-CH 60V 110A TO-2639 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-110A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®-活跃1 (Unlimited)--N-Channel1.8m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA10100pF @ 30V163nC @ 10V60V±20V110A--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1.31247ge3yesTin (Sn)260not_compliant未说明
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC039N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8 | 对比 |
![]() | IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew | 对比 |
![]() | DMTH6004LPS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8 | 对比 |







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