EPC2029备选型号: BSC117N08NS5ATMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
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- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 无铅
- GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE12 Weeks表面贴装表面贴装DieDie48A Ta-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)eGaN®2012活跃1 (Unlimited)150°C-40°CN-Channel3.2mOhm @ 30A, 5V2.5V @ 12mA1410pF @ 40V13nC @ 5V80V+6V, -4V48A1.41nF3.2 mΩROHS3 Compliant--------------------------
- MOSFET N-Ch 80V 49A TDSON-826 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN-49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013活跃1 (Unlimited)--N-Channel11.7m Ω @ 25A, 10V3.8V @ 22μA1300pF @ 40V18nC @ 10V-±20V19A--ROHS3 Compliant8506.605978mgSILICONyes5DUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F51Single增强型MOSFET2.5WDRAIN10 nsSWITCHING无卤素4ns3 ns20V80V80V150°C1.1mm含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPH4R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV | 对比 | |
![]() | IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MZ | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFE | 对比 |
| TPH2R306NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV | 对比 |





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