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首页 全部分类 EPC2029 vs IRF6668TRPBF

EPC2029备选型号: IRF6668TRPBF

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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2029
    EPC
    GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    48A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    3.2mOhm @ 30A, 5V
    2.5V @ 12mA
    1410pF @ 40V
    13nC @ 5V
    80V
    +6V, -4V
    48A
    1.41nF
    3.2 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6668TRPBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MZ
    -
    55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    15m Ω @ 12A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1320pF @ 25V
    31nC @ 10V
    -
    ±20V
    55mA
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    e1
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    80V
    BOTTOM
    55A
    Single
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    19 ns
    SWITCHING
    13ns
    23 ns
    4V
    20V
    0.015Ohm
    80V
    170A
    24 mJ
    533.4μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无SVHC
    无
    无铅
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