EPC2029备选型号: TPH2R306NH,L1Q

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
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  • RoHS状态
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  • 元素配置
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • EPC
    GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    48A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    3.2mOhm @ 30A, 5V
    2.5V @ 12mA
    1410pF @ 40V
    13nC @ 5V
    80V
    +6V, -4V
    48A
    1.41nF
    3.2 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    -
    60A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    U-MOSVIII-H
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    2.3m Ω @ 30A, 10V
    4V @ 1mA
    6100pF @ 30V
    72nC @ 10V
    60V
    ±20V
    60A
    -
    -
    符合RoHS标准
    8
    Single
    9.9ns
    16 ns
    20V
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