EPC2029备选型号: TPH2R306NH,L1Q
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 元素配置
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE12 Weeks表面贴装表面贴装DieDie48A Ta-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)eGaN®2012活跃1 (Unlimited)150°C-40°CN-Channel3.2mOhm @ 30A, 5V2.5V @ 12mA1410pF @ 40V13nC @ 5V80V+6V, -4V48A1.41nF3.2 mΩROHS3 Compliant-----
- MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN-60A Tc150°C TJCut Tape (CT)U-MOSVIII-H2014活跃1 (Unlimited)--N-Channel2.3m Ω @ 30A, 10V4V @ 1mA6100pF @ 30V72nC @ 10V60V±20V60A--符合RoHS标准8Single9.9ns16 ns20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPH4R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV | 对比 | |
![]() | IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MZ | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFE | 对比 |
| TPH2R306NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV | 对比 |




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