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首页 全部分类 EPC2037ENGR vs BSP296NH6433XTMA1

EPC2037ENGR备选型号: BSP296NH6433XTMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大rds
  • 电容-输入
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • EPC
    EPC2037ENGR
    EPC
    TRANS GAN 100V BUMPED DIE
    表面贴装
    2012
    150°C
    -40°C
    100V
    1A
    550 mΩ
    12.5pF
    符合RoHS标准
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  • Infineon Technologies
    BSP296NH6433XTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin SOT-223 T/R
    表面贴装
    2013
    -
    -
    100V
    1.2A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    250.212891mg
    SILICON
    1.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    AVALANCHE RATED; LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    600m Ω @ 1.2A, 10V
    1.8V @ 100μA
    152.7pF @ 25V
    6.7nC @ 10V
    3.8ns
    ±20V
    20V
    0.6Ohm
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin SOT-223 T/R 对比