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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.714217
10
¥7.277563
100
¥6.865628
500
¥6.477009
1000
¥6.110384
Infineon Technologies BSP296NH6433XTMA1
- 收藏
- 对比
BSP296NH6433XTMA1
1211-BSP296NH6433XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin SOT-223 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP296NH6433XTMA1详情
Infineon Technologies BSP296NH6433XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
250.212891mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED; LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600m Ω @ 1.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
152.7pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.7nC @ 10V
上升时间
3.8ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
1.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.6Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSP296NH6433XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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