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首页 全部分类 EPC8009 vs IRF7342TRPBF

EPC8009备选型号: IRF7342TRPBF

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
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  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC8009
    EPC
    GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    2.7A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    130mOhm @ 500mA, 5V
    2.5V @ 250μA
    52pF @ 32.5V
    0.45nC @ 5V
    65V
    +6V, -4V
    2.7A
    52pF
    130 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2 P-Channel (Dual)
    105m Ω @ 3.4A, 10V
    1V @ 250μA
    690pF @ 25V
    38nC @ 10V
    55V
    -
    -3.4A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    SILICON
    8
    EAR99
    105mOhm
    超低电阻
    -55V
    2W
    鸥翼
    -3.4A
    IRF7342PBF
    6.3 mm
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    14 ns
    SWITCHING
    10ns
    22 ns
    -1V
    20V
    -55V
    114 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    80 ns
    150°C
    逻辑电平门
    -1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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