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首页 全部分类 FCD5N60TM-WS vs STD7N60M2

FCD5N60TM-WS备选型号: STD7N60M2

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
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  • 电阻
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FCD5N60TM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    4.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    FCD5N60
    Single
    增强型MOSFET
    54W
    12 ns
    N-Channel
    950m Ω @ 2.3A, 10V
    5V @ 250μA
    600pF @ 25V
    16nC @ 10V
    40ns
    ±30V
    22 ns
    4.6A
    30V
    600V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD7N60M2
    STMicroelectronics
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK
    -
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II Plus
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    STD7
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    7.6 ns
    N-Channel
    950m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    271pF @ 100V
    8.8nC @ 10V
    7.2ns
    ±25V
    15.9 ns
    5A
    25V
    600V
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2
    EAR99
    950mOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    DRAIN
    SWITCHING
    3V
    5A
    20A
    99 mJ
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无铅
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