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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.085886
10
¥12.345173
100
¥11.646394
500
¥10.987159
1000
¥10.365247
ON Semiconductor FCD5N60TM-WS
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- 对比
FCD5N60TM-WS
1807-FCD5N60TM-WS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FCD5N60TM-WS详情
ON Semiconductor FCD5N60TM-WS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
54W Tc
Turn Off Delay Time
47 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET™
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
FCD5N60
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
54W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
950m Ω @ 2.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
600pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 10V
上升时间
40ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
4.6A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FCD5N60TM-WS拓展信息
ON Semiconductor
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