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首页 全部分类 FCD9N60NTM vs FCD380N60E

FCD9N60NTM备选型号: FCD380N60E

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  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • HTS代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FCD9N60NTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SupreMOS™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    FCD9N60
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    92.6W
    DRAIN
    12.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    385m Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1000pF @ 100V
    17.8nC @ 10V
    9.6ns
    ±30V
    11.5 ns
    9A
    3V
    30V
    9A
    600V
    27A
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCD380N60E
    ON Semiconductor
    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    10.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    SuperFET® II
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    FCD380N60
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    106W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1770pF @ 25V
    45nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    10 ns
    10.2A
    -
    30V
    -
    650V
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    8541.29.00.95
    600V
    TO-252AA
    211.6 mJ
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