ON Semiconductor FCD380N60E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

106W Tc

Turn Off Delay Time

64 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

系列

SuperFET® II

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

FCD380N60

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

106W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1770pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

9ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

10.2A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

650V

雪崩能量等级（Eas）

211.6 mJ

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅