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首页 全部分类 FCH041N60E vs IPW65R037C6FKSA1

FCH041N60E备选型号: IPW65R037C6FKSA1

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  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 配置
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FCH041N60E
    ON Semiconductor
    MOSFET N CH 600V 77A TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    2
    6.39g
    SILICON
    77A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    592W
    50 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    41m Ω @ 39A, 10V
    3.5V @ 250μA
    13700pF @ 100V
    380nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    85 ns
    77A
    20V
    600V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R037C6FKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C6
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    500W
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    37m Ω @ 33.1A, 10V
    3.5V @ 3.3mA
    7240pF @ 100V
    330nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    7 ns
    83.2A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    650V
    297A
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