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FCH20N60备选型号: IPW65R150CFDFKSA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 已出版
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 引脚数量
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- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247通孔TO-247-3通孔31-55°C~150°C TJTubeSuperFET™Obsolete1 (Unlimited)600V20ASingle208WN-Channel190m Ω @ 10A, 10V5V @ 250μA3080pF @ 25V98nC @ 10V140ns±30V65 ns20A30V600V符合RoHS标准无铅----------------
MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS通孔TO-247-3通孔-22.4A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™活跃1 (Unlimited)--Single195.3WN-Channel150m Ω @ 9.3A, 10V4.5V @ 900μA2340pF @ 100V86nC @ 10V7.6ns±20V5.6 ns22.4A20V700VROHS3 Compliant无铅18 WeeksSILICON2011e3yes3Tin (Sn)未说明未说明3R-PSFM-T3增强型MOSFET12.4 nsSWITCHING650V72A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS | 对比 |
| FCH165N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew | 对比 |
 | STW24N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus | 对比 |
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