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FCH20N60备选型号: STW24N60M2
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- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247通孔TO-247-3通孔31-55°C~150°C TJTubeSuperFET™Obsolete1 (Unlimited)600V20ASingle208WN-Channel190m Ω @ 10A, 10V5V @ 250μA3080pF @ 25V98nC @ 10V140ns±30V65 ns20A30V600V符合RoHS标准无铅---------------
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus通孔TO-247-3通孔318A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)--Single150WN-Channel190m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA1060pF @ 100V29nC @ 10V9ns±25V61 ns18A25V600VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 WeeksSILICON3EAR99190MOhmSTW24N增强型MOSFET14 nsSWITCHING72A20.15mm15.75mm5.15mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS | 对比 |
| FCH165N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew | 对比 |
| STW24N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus | 对比 |
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