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FCH20N60备选型号: STW28NM60ND
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247通孔TO-247-3通孔31-55°C~150°C TJTubeSuperFET™Obsolete1 (Unlimited)600V20ASingle208WN-Channel190m Ω @ 10A, 10V5V @ 250μA3080pF @ 25V98nC @ 10V140ns±30V65 ns20A30V600V符合RoHS标准无铅-----------------
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube通孔TO-247-3通孔323A Tc150°C TJTubeFDmesh™ II活跃1 (Unlimited)--Single19WN-Channel150m Ω @ 11.5A, 10V5V @ 250μA2090pF @ 100V62.5nC @ 10V21.5ns±25V27 ns23A25V650VROHS3 Compliant无铅38.000013gSILICON3EAR99STW28N1增强型MOSFETDRAIN23.5 nsSWITCHING600V92A50 mJ20.15mm15.75mm5.15mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS | 对比 |
| FCH165N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew | 对比 |
 | STW24N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus | 对比 |
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