FCMT299N60备选型号: IPB50R250CPATMA1
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET HV SuperJunction MOSACTIVE (Last Updated: 1 day ago)33 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN4449.03225mg125W Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperFET® IIyes活跃1 (Unlimited)EAR99199mOhm260not_compliant未说明1Single19 nsN-Channel299m Ω @ 6A, 10V3.5V @ 250μA1948pF @ 380V51nC @ 10V9ns±20V7 ns12A20V600VROHS3 Compliant-------------------
- Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-263-8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--13A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™noObsolete1 (Unlimited)--未说明-未说明--35 nsN-Channel250m Ω @ 7.8A, 10V3.5V @ 520μA1420pF @ 100V36nC @ 10V14ns±20V11 ns13A20V-符合RoHS标准SILICON20082SINGLE鸥翼4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET114WDRAINSWITCHING无卤素550V500V0.25Ohm345 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |



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